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Memoria Samsung Ddr5 8gb / Pc4800 /ub/ 1rx16/ Cl40-40-40 M323r1gb4bb0-cqk
903369252
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Impuestos incluidos
Samsung M323R1GB4BB0-CQK. Componente para: PC, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 40
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Samsung M323R1GB4BB0-CQK módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR5 4800 MHz
Características | |
Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
Latencia CAS | 40 |
Memoria interna | 8 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
Tipo de memoria interna | DDR5 |
Velocidad de memoria del reloj | 4800 MHz |
Componente para | PC |
Forma de factor de memoria | 288-pin DIMM |
ECC | No |
Voltaje de memoria | 1.1 V |
Configuración de módulos | 1024M x 16 |
Otras características | |
Organización de los chips | 1Rx16 |
Samsung M323R1GB4BB0-CQK. Componente para: PC, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 40
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