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Memoria Ram Silicon Power Ddr4 4gb 2666mhz Cl19 So-dimm 1.2v
902189487
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Silicon Power SP004GBSFU266X02. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19
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Silicon Power SP004GBSFU266X02 módulo de memoria 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz
| Características | |
| Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
| Latencia CAS | 19 |
| Memoria interna | 4 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 4 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj | 2666 MHz |
| Componente para | Portátil |
| Forma de factor de memoria | 260-pin SO-DIMM |
| ECC | No |
| Voltaje de memoria | 1.2 V |
| Retroiluminación | No |
| Certificación | CE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS |
| Otras características | |
| Código de Sistema de Armomización (SA) | 84733020 |
Silicon Power SP004GBSFU266X02. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19
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