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Memoria So-dimm Ddr5 8gb Pc 4800 Cl40 Samsung Hlk
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Samsung M425R1GB4BB0-CQK. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 40, ECC
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Samsung M425R1GB4BB0-CQK módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR5 4800 MHz ECC
| Características | |
| Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
| Latencia CAS | 40 |
| Memoria interna | 8 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR5 |
| Velocidad de memoria del reloj | 4800 MHz |
| Componente para | Portátil |
| Forma de factor de memoria | 262-pin SO-DIMM |
| ECC | Si |
| Voltaje de memoria | 1.1 V |
| Configuración de módulos | 1024M x 16 |
Samsung M425R1GB4BB0-CQK. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 40, ECC
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