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Descripción
Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP8T0, 8 TB, M.2, 14800 MB/s
Puntos clave del producto
- 8 TB M.2 PCI Express 5.0
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s 2200000 IOPS
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC/ordenador portátil
Características
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 8 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Si
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/ordenador portátil
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Si
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 3,88 mm
- Altura: 22,1 mm
Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
Otras características
- Periodo de garantía: 5 año(s)