SKU
P/N:
MZ-VAP1T0CW
EAN:8806095811673
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Descripción
Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP1T0, 1 TB, M.2, 14700 MB/s
Puntos clave del producto
- 1 TB M.2 PCI Express 5.0
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s 1850000 IOPS
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s 2600000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
Características
- Versión NVMe: 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 1 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Si
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Si
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Si
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 7,6 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,2 W
Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 8,88 mm
- Altura: 25 mm
- Peso: 30 g
Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
Otras características
- Periodo de garantía: 5 año(s)